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      薄膜電容公司帶您了解貼片電容的分類詳細(xì)介紹

      2022-04-07 14:57:16

      薄膜電容公司帶您了解貼片電容是一種電容材質(zhì)。貼片電容全稱為:多層(積層,疊層)片式陶瓷電容器,也稱為貼片電容,片容。貼片電容有兩種表示方法,一種是英寸單位來(lái)表示,一種是毫米單位來(lái)表示。

      一,NPO電容器

      薄膜電容公司帶您了解NPO是一種Z常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

      NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗Z穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對(duì)大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。


      薄膜電容


      封 裝 DC=50V DC=100V

      0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

      1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

      1210 560---5600pF 560---2700pF

      2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

      NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

      二,X7R電容器

      薄膜電容公司帶您了解X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到 125℃時(shí)其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。

      X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。

      X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

      封 裝 DC=50V DC=100V

      0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

      1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

      1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

      2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

      貼片電容

      三,Z5U電容器

      薄膜電容公司帶您了解Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在相同的體積下Z5U電容器有大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的老化率大可達(dá)每10年下降5%。

      盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

      封 裝 DC=25V DC=50V

      0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

      1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

      1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

      2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

      Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:

      工作溫度范圍10℃ --- 85℃

      溫度特性 22% ---- -56%

      介質(zhì)損耗大 4%

      四,Y5V電容器

      薄膜電容公司帶您了解Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá) 22%到-82%。

      Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μF電容器。

      Y5V電容器的取值范圍如下表所示

      封 裝 DC=25V DC=50V

      0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

      1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

      1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

      2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

      Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:

      工作溫度范圍 -30℃ --- 85℃

      溫度特性 22% ---- -82%

      介質(zhì)損耗 大 5%

      區(qū)別:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。


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